ＳＫハイニックス　世界初の７２層ＮＡＮＤ型メモリー開発

【ソウル聯合ニュース】韓国のＳＫハイニックスは１０日、世界で初めて７２層２５６ギガビット（Ｇｂ）のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発に成功したと明らかにした。

　サムスン電子と東芝が第４世代のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー量産を開始したのに続き、ＳＫハイニックスも今年下半期から第４世代製品の本格的な量産に乗り出すことになる。

　同社の関係者は「４８層に続いて今回７２層２５６Ｇｂの３ＤＮＡＮＤ開発まで迅速に完了し、３ＤのＮＡＮＤ市場で業界最高レベルの製品競争力を確保した」と伝えた。

　同社は今後このメモリーを次世代記憶装置のＳＳＤ（ソリッドステートドライブ）やスマートフォン用製品（ｅＭＭＣ）に適用するために、コントローラーなどを結合して製品化する技術を開発する予定だ。

　記憶セルを立体的に積む３ＤＮＡＮＤは、人工知能（ＡＩ）、ビッグデータ、クラウドなどが主導する第４次産業革命の時代に需要が爆発的に増加すると見込まれている。

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