ＳＫハイニックス　約２００億円投じＲ＆Ｄセンター着工へ＝韓国

【ソウル聯合ニュース】東芝の半導体子会社「東芝メモリ」の買収に参加し、３９５０億円を投じると発表した韓国半導体大手ＳＫハイニックスは２８日、２０００億ウォン（約１９７億円）以上を投資してＮＡＮＤ型フラッシュメモリーと未来技術分野の研究開発（Ｒ＆Ｄ）センターを建設すると明らかにした。

　半導体メモリーのスーパーサイクル（長期好況）を基盤に、急速な成長が予想されるＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに投資を集中させるものとみられる。

　ソウル近郊の京畿道・利川に１０月に着工する研究開発センターは、地上１５階、地下５階、延べ面積９万平方メートルで、４０００人以上の従業員を収容する。

　２０１９年９月の完工後は、これまで利川工場の複数の建物に分散していた未来技術研究院（未来先行技術研究）とＮＡＮＤ開発事業部門の人材が一カ所に集まることになる。

　同社の関係者は「Ｒ＆Ｄ部門間、Ｒ＆Ｄと生産現場間の意思疎通と協業を強化し、シナジーを最大化してさらに効率的な研究開発が可能になると期待する」と述べた。

　同社は世界最高レベルの半導体技術をさらに強化するため、今年１年で１０００人以上を採用しており、来年にも同規模の人材を採用する計画だ。

　また、研究開発投資も持続的に強化しており、同社が２０１２年にＳＫグループ傘下に入った後、８０００億ウォンだったＲ＆Ｄ投資額は昨年、過去最高の２兆１０００億ウォンに達した。

　今年も上半期だけで１兆１０００億ウォン以上の研究開発費を投じ、再び過去最高規模の研究開発費投資が行われる見通しだ。

ynhrm@yna.co.kr